高通发布骁龙 835，功耗降低 40%，快充效率提升 30%

充电 5 分钟，通话两小时这句广告词，在明年可能会变成充电 5 分钟，通话 5 小时。

高通在今晚正式发布了明年上半年的旗舰款处理器骁龙 835，此次的处理器是和三星联合开发的，用上了三星 10nm 的制程工艺，全新升级的 QC 4.0 快充将会比上一代 3.0 快充快 20%。

目前的骁龙 820 处理器使用的还是 14nm 制程工艺，用上三星 10nm 制程工艺的骁龙 835 体积将会缩小 30% 以上，同时还能降低 40% 的功耗并提升 27% 的性能。当然从目前的角度来讲，骁龙旗舰款处理器的性能对于日常使用来说完全够用甚至可以说有些过剩，对于功耗的降低和快速充电性能的提升最能改善明年用上这款处理器的手机的使用体验。

全新的 Quick Charge 4.0 快充技术可以让手机在 15 分钟内充电超过 50%，比 QC 3.0 充电速度快了 20%，效率提升 30%。

从目前的情况来看，刚刚发布的骁龙 835 就是之前多次曝光的新款旗舰处理器，而从去年的惯例来看，为高通提供 10nm 制程工艺的三星很有可能会在明年年初的三星上半年旗舰 Galaxy S8 上首发这款处理器。

对于今年年底因为 Note7 自燃停售事件遭遇滑铁卢的三星来说，明年首发骁龙 835 旗舰可谓十分关键，而高通似乎也想用这款比上代产品提升巨大的旗舰处理器来与目前市面上的骁龙 821 和骁龙 820 拉开明显差距，刺激消费者购买欲望。

然而高通还没有公布更多骁龙 835 处理器的细节规格，但高通表示，目前这款处理器已经开始量产，将会在 2017 年上半年正式上市，不出意外骁龙 835 将会成为明年上半年 Android 旗舰标配的处理器型号。